Si/SiGe 多量子点设备的引导、自主测试和初始化系统
半导体量子点(QD)设备已成为基于自旋量子计算的进步的核心。 然而,现代QD设备日益复杂,使得校准和控制 - 特别是在高温下 - 成为进步的瓶颈,突出了对强大和可扩展的自主解决方案的需求。 一个主要的障碍来自氧化物层内的捕获电荷,它诱导闸电极上的随机偏移电压变化,标准差约为当今最先进的设备中大约83的变化。 高效表征和调优大型 QD 量子比特阵列取决于自动化协议的选择。 在这里,我们引入了一个物理直观的框架,用于引导,自主测试和初始化系统(BATIS),旨在简化QD设备评估和校准。 BATIS导航高维门电压空间,自动化必要的步骤,如泄漏测试,形成所有电流通道,以及在存在被困电荷的情况下进行闸门表征。 对于形成当前通道,BATIS遵循一种非标准方法,无论通道数量如何,都需要一组测量。 BATIS在四QD Si/Si_xGe_1-x设备上以1.3的速度进行演示,消除了初始设备诊断过程中对深层低温环境的需求,显着提高了可扩展性并缩短了设置时间。 通过只需要对设备架构的最低限度的先验知识,BATIS代表了一个平台无关的解决方案,可适应各种QD系统,这弥合了QD自动调谐的关键差距。
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